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深圳市凌涵科技有限公司
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产品信息
主要应用
2SC5200主要应用与一般电子和精密电子两大领域。一般电子运用包括计算机、办公设备、检测设备、工业机器人、家用电器等。精密电子应用涉及原子能控制仪表、太空船仪器、飞机、交通信号控制仪器仪表、医疗器械及其它各类安全装置。
基本参数2SC5200
功率 ：150W
安装类型 ：通孔
直流电流增益 (hFE) ：80 @ 1A, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：3V @ 800mA, 8A
晶体管类型 ：NPN
转换频率 ：30MHz
电压 - 集电极发射极击穿（） ：230V
集电极电流 ：15A
应用范围 ：放大
功率特性 ：中功率
频率特性 ：中频
极性 ：NPN型
结构 ：点接触型
材料 ：硅(Si)
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 230 V
集电极—基极电压 VCBO: 230 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.4 V
直流电集电极电流: 15 A
增益带宽产品fT: 30 MHz
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: 2SC5200
直流电流增益 hFE 值: 160
商标: Toshiba
集电极连续电流: 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 35
Pd-功率耗散: 150 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 2SC5200
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
单位重量: 7 g