深圳市凌涵科技有限公司

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产品分类

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供应 BSM50GAL120DN2  IGBT模块
供应 BSM50GAL120DN2  IGBT模块
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供应 BSM50GAL120DN2 IGBT模块

型号/规格:

BSM50GAL120DN2

品牌/商标:

INFINEON(英飞凌)

环保类别:

无铅环保型

包装:

盒装

产品信息

产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 78 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 400 W
封装 / 箱体: Half Bridge GAL 1
工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
栅极/发射极电压: 20 V
工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10

宽度: 34 mm

【选择凌涵科技的理由】:


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