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深圳市凌涵科技有限公司
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相关产品
产品信息
产品简介
K4S560432E-TC75, 高速SDRAM, 256Mb, E-die, x4
型号标识 / 参数
K4S560432E-TC75的型号标识和参数如下表所示：
K4S560432E-TC75 的型号标识
K SAMSUNG 存储器
4 DRAM
S 产品系列，SDRAM
56 容量&刷新，256Mb, 8K/64ms
04 位宽，4bits
3 4 Banks(1)
2 接口，LVTTL
E 版本号，第6代
T 封装类型，TSOP2
C 商业级温度，普通功耗
75 7.5ns (133MHz@CL=3)
K4S560432E-TC75 其他参数
工作电压 3.3 V
容量 256 Mb
位宽 4 bits
温度等级 0℃～70℃
(1)2: 2 Banks; 3: 4 Banks
封装信息
K4S560432E-TC75的封装为：
类型：TSOP2
引脚：54
尺寸：400mil x 875mil
引脚间距：0.8 mm
包装规格
K4S560432E-TC75的包装为：
类型一：Tray（托盘装）
每盘：96 pcs
每包：10 盘；960 pcs
总共：6 包；5,760 pcs
类型二：Tape&Reel（卷带装）
每盘：2,000 pcs
总共：5 盘；10,000 pcs
K4S560432E-TC75, 高速SDRAM, 256Mb, E-die, x4
型号标识 / 参数
K4S560432E-TC75的型号标识和参数如下表所示：
K4S560432E-TC75 的型号标识
K SAMSUNG 存储器
4 DRAM
S 产品系列，SDRAM
56 容量&刷新，256Mb, 8K/64ms
04 位宽，4bits
3 4 Banks(1)
2 接口，LVTTL
E 版本号，第6代
T 封装类型，TSOP2
C 商业级温度，普通功耗
75 7.5ns (133MHz@CL=3)
K4S560432E-TC75 其他参数
工作电压 3.3 V
容量 256 Mb
位宽 4 bits
温度等级 0℃～70℃
(1)2: 2 Banks; 3: 4 Banks
封装信息
K4S560432E-TC75的封装为：
类型：TSOP2
引脚：54
尺寸：400mil x 875mil
引脚间距：0.8 mm
包装规格
K4S560432E-TC75的包装为：
类型一：Tray（托盘装）
每盘：96 pcs
每包：10 盘；960 pcs
总共：6 包；5,760 pcs
类型二：Tape&Reel（卷带装）
每盘：2,000 pcs
总共：5 盘；10,000 pcs