ST进口N沟道场效应管晶体管SPP20N60C3_深圳市凌涵科技有限公司

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供应ST进口N沟道场效应管晶体管SPP20N60C3

型号/规格：

SPP20N60C3

品牌/商标：

ST（意法半导体）

封装形式：

TO220

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

管装

功率特征：

中功率

询价

产品信息

SPW20N60C3，采用TO-247 封装方式。

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 值:20.7A

电压, Vds :650V

开态电阻, Rds(on):0.19ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs :3V

功耗:208W

工作温度范围:-55°C to +150°C

封装类型:TO-247

针脚数:3

SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

功率, Pd:208W

封装类型:TO-247

总功率, Ptot:208W

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds:650V

电流, Idm 脉冲:62.1A

结温, Tj :-55°C

结温, Tj :150°C

表面安装器件:通孔安装

阈值电压, Vgs th 典型值:3V

阈值电压, Vgs th :3.9V

所属类别：半导体二极管

产品：General Purpose MOSFETs

晶体管极性：N-Channel

电阻基极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohm @ 10 V

基极/源极击穿电压：650 V

漏极连续电流： 20.7 A

功率耗散：208000 Mw

闸/源击穿电压：20 V

封装/箱体：TO-247

封装：Tube

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