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深圳市凌涵科技有限公司
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产品信息
IS61LV51216 概述
ISSI的IS61LV51216是一个8M容量，结构为512K*16位字长的高速率SRAM。IS61LV51216采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。
当/CE处于高电平（未选中）时，IS61LV51216进入待机模式。在此模式下，功耗可降低至CMOS输入标准。
使用IS61LV51216的低触发片选引脚（/CE）和输出使能引脚（/OE），可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚（/WE）将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位（/UB）存取和低位 （/LB）存取。
IS61LV51216 参数
IS61LV51216基本参数
容量 8M (512K*16)
速率 8ns,10ns,12ns
电压 3.3V
IS61LV51216封装与引脚
MBGA 48PIN
TSOP2 44PIN
IS61LV51216接口类型
串行
并行 √
IS61LV51216 特性
IS61LV51216 主要特性如下：
高速率
存取时间：8ns,10ns,12ns
全静态操作：不需时钟或刷新
输入输出兼容TTL标准
独立3.3V供电
三态输出
高字节数据和低字节数据可分别控制
低功耗操作
CMOS低功耗操作
低待机功耗
— 低于2 mA（典型值）的CMOS待机模式
工业标准
无铅环保
可选工业级和军工级温度
TSOP2-44,MBGA48封装
ISSI的IS61LV51216是一个8M容量，结构为512K*16位字长的高速率SRAM。IS61LV51216采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。
当/CE处于高电平（未选中）时，IS61LV51216进入待机模式。在此模式下，功耗可降低至CMOS输入标准。
使用IS61LV51216的低触发片选引脚（/CE）和输出使能引脚（/OE），可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚（/WE）将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位（/UB）存取和低位 （/LB）存取。
IS61LV51216 参数
IS61LV51216基本参数
容量 8M (512K*16)
速率 8ns,10ns,12ns
电压 3.3V
IS61LV51216封装与引脚
MBGA 48PIN
TSOP2 44PIN
IS61LV51216接口类型
串行
并行 √
IS61LV51216 特性
IS61LV51216 主要特性如下：
高速率
存取时间：8ns,10ns,12ns
全静态操作：不需时钟或刷新
输入输出兼容TTL标准
独立3.3V供电
三态输出
高字节数据和低字节数据可分别控制
低功耗操作
CMOS低功耗操作
低待机功耗
— 低于2 mA（典型值）的CMOS待机模式
工业标准
无铅环保
可选工业级和军工级温度
TSOP2-44,MBGA48封装